半導體工藝技術面臨重大飛躍
Intel、摩托羅拉、IBM等公司與美國三個國家實驗室昨日披露了超紫外線光刻技術的步進機（stepper）原型。
專家預估，EUV初步將投入0.07微米工藝的試產，未來至少可將芯片工藝技術帶入0.03微米的領域，甚至不無直逼0.007微米工藝的可能。
ITdoor援引亞洲華爾街日報昨日報導稱，由于部分研究人員早已預估，除非產業采用縮小芯片的電路尺寸技術，否則長期以來讓半導體產業維持成長的摩爾定律可能會在2005年失效。為此，半導體產業已相繼投入新工藝技術的開發工作。如今，初步的開發成果即將公布，由Intel、IBM、摩托羅拉等公司所組成的企業聯盟與美國三個國家實驗室，昨日在加州桑迪亞國家實驗室展示采用EUV技術的步進機原型。該企業聯盟投入EUV的開發經費已逾2.5億美元，并期許EUV可讓摩爾定律的壽命再延長至少10年。
EUV技術是以超紫外線將超精的電路線顯影于晶圓上，其產生的電路較傳統的光束光刻技術縮小7～20％。目前產業界最精密的工藝技術是0.13微米，上周Intel才宣布以0.13微米工藝產出芯片，但絕大部分仍將采用傳統的制造技術。