英特爾推相變存儲器速度提升1000倍

據國外媒體報道，英特爾日前表示，今年下半年將向設備制造商提供新一代相變存儲器樣品。

據英國媒體報道，新一代相變存儲器是一種非易失性的存儲器產品，它集DRAM存儲器的高速存取，以及閃存在關閉電源后保留數據的特性為一體，因此被業界視為未來DRAM和閃存的替代品。

英特爾閃存部門首席技術官Ed Doller稱：“從理想的角度講，人們需要一種非易失性DRAM產品，而相變存儲器就十分接近于該目標。”

Doller還稱，相變存儲器的讀寫速度相當于閃存的1000多倍，而能耗只有當前閃存的1/2。目前，英特爾正與意法半導體攜手開發相變存儲器。